[发明专利]光刻掩模在审
| 申请号： | 201711306343.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN108803231A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;石世昌;陈立锐;郑博中 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 冯志云;张福根 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开实施例提供一种光刻掩模。光刻掩模包括基板，其包含低热膨胀材料。光刻掩模也包括反射结构，设置于基板上方。反射结构包括第一层和设置于第一层上方的第二层。至少第二层为多孔。光刻掩模的制造方法包括于基板上方形成多层反射结构，形成多层反射结构包括形成多个重复薄膜对，薄膜对各自包括第一层和多孔第二层。于多层反射结构形成上方盖层。于盖层上方形成吸收层。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻掩模 多层反射结构 第一层 基板 反射结构 盖层 薄膜 低热膨胀材料 吸收层 光刻 重复 制造 | ||
【主权项】：
1.一种光刻掩模，包括：一基板，其包含一低热膨胀材料；以及一反射结构，设置于该基板上方，其中该反射结构包括：一第一层和设置于该第一层上方的一第二层，且其中至少该第二层为多孔。
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- 专利分类
G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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