[发明专利]CMOS图像传感器及其制造方法

摘要

本发明公开了一种CMOS图像传感器，各像素单元对应的有源区由浅沟槽场氧隔离，在浅沟槽场氧的浅沟槽的侧面和底部表面形成有一P型离子注入层，P型离子注入层是在浅沟槽形成之后、氧化层填充前通过P型离子注入形成；浅沟槽场氧的氧化层采用HDP工艺填充，以减少P型离子注入层的结深。感光二极管由形成于有源区的P型半导体衬底表面的N型注入区和N型注入区底部的所述P型半导体衬底之间形成的PN结二极管组成；P型离子注入层在浅沟槽场氧的周侧防止N型注入区直接和浅沟槽场氧接触并通过P型离子注入层和N型注入区之间形成的PN结减少感光二极管的暗电流。本发明还公开了一种CMOS图像传感器的制造方法。本发明能减少暗电流。

主权项

一种CMOS图像传感器，其特征在于，CMOS图像传感器的各像素单元对应的有源区由浅沟槽场氧隔离，在浅沟槽场氧的浅沟槽的侧面和底部表面形成有一P型离子注入层，所述P型离子注入层是在所述浅沟槽场氧的浅沟槽形成之后、氧化层填充前通过P型离子注入形成；所述浅沟槽场氧的氧化层采用HDP工艺填充，以减少所述P型离子注入层的热过程并进而减少所述P型离子注入层的结深；各所述像素单元对应的感光二极管由形成于所述有源区的P型半导体衬底表面的N型注入区和所述N型注入区底部的所述P型半导体衬底之间形成的PN结二极管组成；所述N型注入区在所述感光二极管感光后存储光生电子；所述P型离子注入层在所述浅沟槽场氧的周侧防止所述N型注入区直接和所述浅沟槽场氧接触并通过所述P型离子注入层和所述N型注入区之间形成的PN结减少所述感光二极管的暗电流。