[发明专利]相移式光掩模及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201711306818.6 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN109828432B 公开(公告)日: 2022-09-06
发明(设计)人: 赖义凯 申请(专利权)人: 力晶积成电子制造股份有限公司
主分类号: G03F1/26 分类号: G03F1/26
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 陈小雯
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 台湾;71
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摘要: 发明公开一种相移式光掩模及其制作方法。该相移式光掩模用于在曝光制作工艺中转移一布局图。相移式光掩模包括一基板与一图案化相移层。图案化相移层设置于基板上并具有至少一元件图案开口与多个虚设图案开口,元件图案开口与虚设图案开口暴露出基板表面,且虚设图案开口环设于元件图案开口的周围。图案化相移层具有一预定厚度,使得曝光制作工艺中通过图案化相移层的曝光光束与通过元件图案开口或者虚设图案开口的曝光光束相位差为180度,并且图案化相移层的光线穿透率为100%。
搜索关键词: 相移 式光掩模 及其 制作方法
【主权项】:
1.一种相移式光掩模,用于一曝光制作工艺中转移一布局图(layout),其特征在于,该相移式光掩模包括:基板;以及图案化相移层,设置于该基板上,该图案化相移层具有至少一元件图案开口(device pattern aperture)与多个虚设图案开口(dummy pattern aperture),该至少一元件图案开口与该多个虚设图案开口暴露出该基板表面,且该多个虚设图案开口环设于该至少一元件图案开口的周围,其中该图案化相移层具有一预定厚度,使得该曝光制作工艺中通过该图案化相移层的曝光光束与通过该元件图案开口或者虚设图案开口的曝光光束相位差为180度,并且该图案化相移层的光线穿透率为100%;其中该至少一元件图案开口对应于该布局图的至少一元件图案,并且在该曝光制作工艺中转移至一目标基底上。
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