[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：提供半导体结构，包括：衬底、在衬底上的栅极结构、在栅极结构两侧面上的初始间隔物层和覆盖栅极结构和初始间隔物层的第一层间电介质层；衬底包括分别在栅极结构两侧的源极和漏极；刻蚀第一层间电介质层以形成源极接触孔和漏极接触孔，露出初始间隔物层的部分；去除初始间隔物层的被露出部分以露出栅极结构的侧面；在栅极结构的被露出侧面上形成间隔物结构层；在接触孔中形成源极接触件和漏极接触件；选择性地去除间隔物结构层的至少一部分以形成空气间隙；以及形成第二层间电介质层，该第二层间电介质层覆盖在空气间隙之上。本发明能够形成空气间隙间隔物结构，减小寄生电容。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体结构，所述半导体结构包括：衬底、在所述衬底上的栅极结构、在所述栅极结构两侧的侧面上的初始间隔物层以及覆盖所述栅极结构和所述初始间隔物层的第一层间电介质层；其中，所述衬底包括：分别在所述栅极结构两侧的源极和漏极；刻蚀所述第一层间电介质层以形成露出所述源极的源极接触孔和露出所述漏极的漏极接触孔；其中，所述源极接触孔和所述漏极接触孔还露出在所述栅极结构至少一侧的所述初始间隔物层的部分；去除所述初始间隔物层的被露出部分从而露出所述栅极结构的所述至少一侧的侧面；在所述栅极结构的被露出的所述至少一侧的侧面上形成间隔物结构层；在形成所述间隔物结构层之后，在所述源极接触孔中形成与所述源极连接的源极接触件并在所述漏极接触孔中形成与所述漏极连接的漏极接触件；在形成所述源极接触件和所述漏极接触件之后，选择性地去除所述间隔物结构层的至少一部分以形成空气间隙；以及在所述第一层间电介质层、所述源极接触件和所述漏极接触件之上形成第二层间电介质层，其中所述第二层间电介质层覆盖在所述空气间隙之上。