[发明专利]一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器及制备方法在审
申请号: | 201711307467.0 | 申请日: | 2017-12-11 |
公开(公告)号: | CN108091721A | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
发明(设计)人: | 史晓凤;韩波;王诗兵;李军;王静;李佩君 | 申请(专利权)人: | 阜阳师范学院 |
主分类号: | H01L31/109 | 分类号: | H01L31/109;H01L31/18 |
代理公司: | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人: | 谈杰 |
地址: | 236037 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器,包括光电探测器本体,所述光电探测器本体的上部表面通过透明胶层固定连接有LED发光芯片层,所述LED发光芯片层包括第二衬底,所述第二衬底的上部表面通过LED芯片制备工艺制成芯片层,所述芯片层的上部表面固定连接有金属反光层。本发明在光电探测器本体上固定连接有LED芯片发光层,可单独发射特定功率特定的光线,当做参考标准,可以起到校准光电探测器作用,同时可以根据环境情况实时测定光电探测器的准确性,根据出厂提供测试结果,对光电探测器的测试数据进行对比分析,提高探测的准确性,减少误差。 | ||
搜索关键词: | 光电探测器 芯片层 上部表面 光电集成电路 衬底 硅基 芯片 金属反光层 参考标准 测试数据 对比分析 实时测定 透明胶层 制备工艺 发光层 校准 制备 出厂 探测 发射 | ||
【主权项】:
1.一种用于硅基光电集成电路芯片中的光电探测器,包括光电探测器本体(1),其特征在于:所述光电探测器本体(1)的上部表面通过透明胶层(2)固定连接有LED发光芯片层(3),所述LED发光芯片层(3)包括第二衬底(33),所述第二衬底(33)的上部表面通过LED芯片制备工艺制成芯片层(32),所述芯片层(32)的上部表面固定连接有金属反光层(31)。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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