[发明专利]一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺

摘要

本发明公开了一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺。步骤如下：配制粗抛液后，将环氧树脂游星轮均匀放置在抛光盘面上，然后将厚度偏差3µm内的砷化镓双抛片正面向上放置在环氧树脂游星轮孔洞中，执行自查程序，查看环氧树脂游星轮和砷化镓双抛片自旋状况；自查程序执行结束后，降下上抛光盘，完成第一次执行粗抛程序；第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片翻转，背面向上执行自查程序，然后第二次执行粗抛程序；重复十次操作后，从环氧树脂游星轮中取出砷化镓双抛片，放入白花篮中清洗甩干。通过本发明的实施，有效地提高了砷化镓双抛片的整体平整度。

主权项

1.一种降低砷化镓双抛片整体平整度的粗抛工艺，其特征在于：按如下步骤进行：第一步，砷化镓双抛片（7）厚度分选，分选厚度700±5µm，数片一组，厚度差小于等于3µm；第二歩，配制粗抛液，用5L量杯称量15L去离子水倒入干净的粗抛液桶中，使用1000ml量杯称量600mlNaClO溶液倒入15L去离子水中，玻璃棒顺时针搅拌10圈，再用1000ml量杯称量800ml含粒径85µmSiO₂颗粒溶液倒入之前配制的溶液中，玻璃棒顺时针搅拌10圈；第三步，将数个环氧树脂游星轮（6）均匀放置在双面9B双面抛光机的下抛光盘（3）面上，在每个环氧树脂游星轮（6）孔洞中分别放置分选好的砷化镓双抛片（7），砷化镓双抛片（7）的正面向上；第四步，执行自查程序，启动双面9B双面抛光机，时长90s，内齿圈（5）转速15rpm，外齿圈（4）转速10rpm，下抛光盘（3）转速10rpm，查看环氧树脂游星轮（6）和砷化镓双抛片（7）自旋状况；第五步，自查程序执行结束后，降下上抛光盘（1），第一次执行粗抛程序，粗抛时长990s，分4段进行，具体过程如下：1）、加压，时长8s，压力10kg，加压时间8s，施液管（2）送粗抛液流量5.5ml/s；2）、粗抛，时长970s，施液管（2）送粗抛液流量5.5ml/s，粗抛分为四段执行，第一段粗抛时长30s，压力20kg，加压时间30s，内齿圈（5）转速4rpm，外齿圈（4）转速8rpm，下抛光盘（3）转速8rpm；第二段粗抛时长30s，压力30kg，加压时间30s，内齿圈（5）转速8rpm，外齿圈（4）转速12rpm，下抛光盘（3）转速12rpm；第三段粗抛时长900s，压力50kg，加压时间30s，内齿圈（5）转速10rpm，外齿圈（4）转速18rpm，下抛光盘（3）转速25rpm；第四段粗抛时长10s，压力20kg，加压时间10s，内齿圈（5）转速4rpm，外齿圈（4）转速4rpm，下抛光盘（3）转速12rpm；3）、水抛，时长10s，无粗抛液，施液管（2）送去离子水流量10ml/s，水抛时长10s，压力5kg，加压时间5s，内齿圈（5）转速4rpm，外齿圈（4）转速4rpm，下抛光盘（3）转速10rpm；4）、冲洗，时长2s，无粗抛液，施液管（2）送去离子水流量20ml/s，无压力，无转速，上抛光盘（1）慢升，加压时间1s；第六步，第一次粗抛程序结束后，将砷化镓双抛片（7）取出，背面向上再次放入环氧树脂游星轮（6）孔洞内，执行第二次粗抛程序，即，重复执行第4、第5、第6步骤9次后下片，从环氧树脂游星轮（6）中取出砷化镓双抛片（7），放入白花篮中甩干，砷化镓双抛片（7）厚度为650±2µm；第七步，由于粗抛后砷化镓双抛片（7）表面会有有机物和局部化学反应层的存在，为了更好的检查砷化镓双抛片（7）的表面质量，需用碱性化学清洗液和去离子水进行一次浸洗，具体步骤如下：1）、碱性化学清洗液整篮浸洗，时长10~15s，碱性化学清洗液配比为NH₄OH：H₂O₂：去离子水=1:1:10；2）、去离子水浸洗，时长20~25s；第八步，甩干，程序分为3段，总时长350s，具体包括：1）、喷淋，转速1600rpm，时长100s；2）、甩干，转速1400rpm，时长150s；3）、烘干，转速1000rpm，时长100s；第九步，对粗抛完毕的砷化镓双抛片（7）分别进行表面质量和整体平整度检验。