[发明专利]互连结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201711308798.6 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904133A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 邓浩;周鸣 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L23/488;H01L23/492;H01L21/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种互连结构及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，所述互连结构包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。本申请可以降低互连结构的电阻率，简化工艺流程。 | ||
| 搜索关键词： | 互连结构 阻挡层 衬底 开口 电介质层 半导体技术领域 工艺流程 电阻率 金属层 侧壁 钌层 填充 申请 制造 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构，其特征在于，包括：衬底；在所述衬底上的电介质层，所述电介质层具有延伸到所述衬底的开口；在所述开口的底部和侧壁上的阻挡层，所述阻挡层包括钌层；在所述阻挡层上填充所述开口的金属层。
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