[发明专利]垂直结构UMOSFET器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201711309639.8 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904075A | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 陈扶;于国浩;宋亮;郝荣晖;张宝顺 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院大学 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/417 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直结构UMOSFET器件，其包括：第一、第二导电类型半导体层，具有第一导电类型的源区层以及源、漏、栅极；第二导电类型半导体层设置在第一导电类型半导体层的一侧表面，源区层形成在第二导电类型半导体层内，源极同时与第二导电类型半导体层及源区层电性连接，栅极设置在槽状结构内，槽状结构顶端设置于源区层表面，底端穿入第一导电类型半导体层，且在槽状结构的内壁与栅极之间还设置有钝化层，漏极与第一导电类型半导体层的另一侧表面连接。本发明的UMOSFET器件具有低导通电阻、高频率、高击穿电压等优点。本发明还公开了所述UMOSFET器件的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 导电类型半导体层 第一导电类型 源区层 半导体层 槽状结构 垂直结构 低导通电阻 高击穿电压 表面连接 电性连接 顶端设置 钝化层 高频率 穿入 底端 漏极 内壁 源极 制作 | ||
【主权项】：
1.一种垂直结构UMOSFET器件，其特征在于包括：第一导电类型半导体层；第二导电类型半导体层，其设置在第一导电类型半导体层的第一表面；具有第一导电类型的源区层，其形成在第二导电类型半导体层内；源极，其设置在第二导电类型半导体层上，且同时与第二导电类型半导体层及源区层电性连接；栅极，其设置在槽状结构内，所述槽状结构顶端设置于源区层表面，底端穿入第一导电类型半导体层，且在所述槽状结构的内壁与栅极之间还设置有钝化层；以及漏极，其与第一导电类型半导体层的第二表面连接，所述第一表面与第二表面相背对设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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