[发明专利]一种防击穿的半导体器件在审
| 申请号： | 201711309721.0 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107845671A | 公开（公告）日： | 2018-03-27 |
| 发明（设计）人： | 罗艳 | 申请（专利权）人： | 四川九鼎智远知识产权运营有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司51214 | 代理人： | 詹永斌 |
| 地址： | 610041 四川省成都市高新*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防击穿的半导体器件。其包括依次设置的P型衬底、隔离层和N型硅层；N型硅层一侧的隔离层上设有P型阱，另一侧的隔离层上设有N型阱；P型阱上有源极，N型阱上有漏极，N型硅层上有绝缘层，绝缘层内具有多晶硅场板和位于多晶硅场板两侧的栅极，栅极通过跨设在多晶硅场板上方的多晶硅桥连接；源极和漏极之间的绝缘层、P型阱和N型阱覆盖第一介质层；栅极上跨设中间高两边低的阶梯形金属场板，栅极和金属场板之间设置介电常数大于4的第二介质层；金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在栅极与漏极之间的第二介质层上。本发明能够提高器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 击穿 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种防击穿的半导体器件，其特征在于，包括：P型衬底；隔离层，所述隔离层位于所述P型衬底上；N型硅层，所述N型硅层位于所述隔离层上；P型阱，所述P型阱位于所述N型硅层一侧的所述隔离层上；N型阱，所述N型阱位于所述N型硅层另一侧的所述隔离层上；源极，所述源极位于所述P型阱上；漏极，所述漏极位于所述N型阱上；绝缘层，所述绝缘层位于所述N型硅层上，所述绝缘层内具有多晶硅场板和位于多晶硅场板两侧的栅极，所述栅极通过跨设在多晶硅场板上方的多晶硅桥连接；第一介质层，所述第一介质层覆盖所述源极和漏极之间的所述绝缘层、P型阱和N型阱；金属场板，所述金属场板跨设在所述栅极上，所述金属场板的截面形状为中间高两边低的阶梯形；第二介质层，所述第二介质层位于所述第一介质层和金属场板之间；其中，所述金属拱形场板的一端与源极连接，另一端搭接在所述栅极与所述漏极之间的第二介质层上；所述第二介质层的介电常数大于4。
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