[发明专利]一种超宽带陷波天线

摘要

本发明公开一种超宽带陷波天线，包括介质基板(1)、贴覆于介质基板(1)上表面的上金属镀层(2)和贴覆于介质基板(1)下表面的下金属镀层(3)，所述下金属镀层(3)和上金属镀层(2)由穿过介质基板(1)的多个金属化通孔(4)相连，金属镀层(2)上有含上变容二极管(8)、下变容二极管(9)的第一开口谐振环(6)和第二开口谐振环(7)，以及上变容二极管(8)和下变容二极管(9)的偏置电路，偏置电路由电压源(11)，电阻(10)和连接金属镀层(3)的金属化过孔(42)构成。本发明的超宽带陷波天线，不但多通带，而且通带位置可调。 1

主权项

1.一种超宽带陷波天线，其特征在于：

包括介质基板(1)，贴覆于介质基板(1)上表面的上金属镀层(2)和贴覆于介质基板(1)下表面的下金属镀层(3)，所述下金属镀层(3)和上金属镀层(2)由穿过介质基板(1)的多个金属化通孔(4)相连。

2.根据权利要求1所述的天线，其特征在于：

所述上金属镀层(2)包括位于中部的矩形上面板(21)，所述上面板(21)左部自上而下设有三个水平向的缝隙(22)，上面板(21)右部与竖向均匀排列的金属化通孔(41)相连，其左侧下端与一50Ω微带线(23)上端相连，所述50Ω微带线(23)的下端为天线的输入端口(5)；

所述上面板(21)左侧上端通过竖直的平行馈线(24)与一水平八木偶极子单元(25)的右端相连；

所述八木偶极子单元(25)的上方设有与之平行的第二引向器(27)，在所述第二引向器(27)与八木偶极子单元(25)之间设有第一引向器(26)，所述第一引向器(26)与第二引向器(27)平行，所述第一引向器(26)中部设有引向器缝隙(28)；

所述平行馈线(24)左侧有第一开口谐振环(6)，右侧有第二开口谐振环(7)。

3.根据权利要求2所述的天线，其特征在于：

所述第一开口谐振环(6)为由微带线围成的矩形结构，第一开口谐振环(6)左边竖直的微带线中心位置为第一开口缝隙(61)，上侧沿中心位置呈对称分布第一上变容二极管(81)、第二上变容二极管(82)，下侧沿中心位置呈对称分布第一下变容二极管(91)、第二下变容二极管(92)；

所述第一上变容二极管(81)、第二上变容二极管(82)中间通过第一电阻(10‑1)接入第一电压(11‑1)，第一上变容二极管(81)左侧通过第二电阻(10‑2)接入过孔(42)，第二上变容二极管(82)右侧通过第三电阻(10‑3)接入过孔(42)；所述第一下变容二极管(91)、第二下变容二极管(92)中间通过第四电阻(10‑4)接入第二电压(11‑2)，第一下变容二极管(91)左侧通过第五电阻(10‑5)接入过孔(42)，第二下变容二极管(92)右侧通过第六电阻(10‑6)接入过孔(42)；

所述第二开口谐振环(7)为由微带线围成的矩形结构，第二开口谐振环(7)右边竖直的微带线中心位置为第二开口缝隙(71)，上侧沿中心位置呈对称分布第三上变容二极管(83)、第四上变容二极管(84)，下侧沿中心位置呈对称分布第三下变容二极管(93)、第四下变容二极管(94)；

所述第三上变容二极管(83)、第四上变容二极管(84)中间通过第七电阻(10‑7)接入第三电压(11‑3)，第三上变容二极管(83)左侧通过第八电阻(10‑8)接入过孔(42)，第四上变容二极管(84)右侧通过第九电阻(10‑9)接入过孔(42)；所述第三下变容二极管(93)、第四下变容二极管(94)中间通过第十电阻(10‑10)接入第四电压(11‑4)，第三下变容二极管(93)左侧通过第十一电阻(10‑11)接入过孔(42)，第四下变容二极管(94)右侧通过第十二电阻(10‑12)接入过孔(42)。

4.根据权利要求2所述的天线，其特征在于：

所述平行馈线(24)与八木偶极子单元(25)相接处外缘切角。

5.根据权利要求2至4之一所述的天线，其特征在于：

所述下金属镀层(3)包括下端和两侧与介质基板(1)平齐的矩形地面板(31)，所述地面板(31)的右部与竖向均匀排列的金属化通孔(41)相连；

所述地面板(31)上端中部竖直的底面馈电平行馈线(32)与一水平底面交叉八木偶极子单元(33)的左端相连；

所述底面馈电平行馈线(32)与上面板(21)上的平行馈线(24)在介质基板(1)下表面上的投影重叠；

所述底面交叉八木偶极子单元(33)与上面板(21)上的八木偶极子单元(25)在介质基板(1)下表面上的投影位于同一水平线上，且分别位于底面馈电平行馈线(32)的左右两侧。

6.根据权利要求5所述的天线，其特征在于：

所述底面馈电平行馈线(32)与底面交叉八木偶极子单元(33)相接处外缘切角。