[发明专利]半导体装置的形成方法有效
| 申请号： | 201711315627.6 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920760B | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 李洛忻;钟定邦;洪士涵;吴柏翰;詹书俨;邹世芳 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置的形成方法，其包含以下步骤。首先，提供一基底，在该基底上形成一介电层。然后，在该介电层内形成一开孔，部分暴露该基底的顶面，其中，该开孔具有不连续的一侧壁，其上具有一转折部。接着，进行一第一沉积制作工艺，沉积一第一半导体层填满该开孔，并进一步覆盖该介电层的顶面。后续，进行一移除制作工艺，侧向蚀刻该第一半导体层至暴露该开孔的该转折部。最后，进行一第二沉积制作工艺，沉积一第二半导体层，填满该开孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包含：提供一个基底，在该基底上形成一个介电层；在该介电层内形成一个开孔，部分暴露该基底的顶面，其中，该开孔具有不连续的一个侧壁，其上具有一个转折部；进行一个第一沉积制作工艺，沉积一个第一半导体层填满该开孔，并进一步覆盖该介电层的顶面；进行一个移除制作工艺，侧向蚀刻该第一半导体层至暴露该开孔的该转折部；进行一个第二沉积制作工艺，沉积一个第二半导体层，填满该开孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
