[发明专利]高纯锗探测器在审
| 申请号： | 201711315636.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN107831525A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 李玉兰;李红;常建平;张智;李荐民 | 申请（专利权）人： | 清华大学;同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 胡良均 |
| 地址： | 100084*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 探测器 | ||
【主权项】：
一种高纯锗探测器，包括高纯锗晶体单元阵列，所述高纯锗晶体单元阵列包括两个或更多个高纯锗晶体单元，其中，所述两个或更多个高纯锗晶体单元每一个包括位于侧面和/或第一顶表面的部分电极，并且所述两个或更多个高纯锗晶体单元的侧面和/或第一顶表面的电极电连接共同作为高纯锗探测器的第一接触电极；每个高纯锗晶体单元包括位于其内的各自的第二接触电极使得所述高纯锗探测器包括两个或更多个第二接触电极。
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