[发明专利]二次成像光学光刻方法和设备有效
| 申请号： | 201711316102.4 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109901362B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 罗先刚;王长涛;王彦钦;孔维杰;高平;赵泽宇 | 申请（专利权）人： | 中国科学院光电技术研究所 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 倪斌 |
| 地址： | 610209 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提出了一种二次成像光学光刻方法和设备。所述二次成像光学光刻方法包括：将光刻掩模板与柔性透明转移衬底紧密接触；用第一光源通过所述光刻掩模板照射所述柔性透明转移衬底的感光层，以将所述光刻掩模板的图案转移到所述柔性透明转移衬底的感光层；在用于制作器件的器件衬底上涂覆光致抗蚀剂；将所述柔性透明转移衬底与已涂覆光致抗蚀剂的器件衬底紧密接触；用第二光源通过所述柔性透明转移衬底照射所述器件衬底，以通过对所述光致抗蚀剂曝光将所述柔性透明转移衬底的感光层的图案转移到所述器件衬底的光致抗蚀剂上；对包括已曝光光致抗蚀剂的所述器件衬底进行显影，得到与所述光刻掩模板的图案一致的器件图案。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 成像 光学 光刻 方法 设备 | ||
【主权项】：
1.一种二次成像光学光刻方法，包括：将光刻掩模板与柔性透明转移衬底紧密接触，所述柔性透明转移衬底包括具有感光层的第一近场成像结构；用第一光源通过所述光刻掩模板照射所述柔性透明转移衬底的感光层，以将所述光刻掩模板的图案转移到所述柔性透明转移衬底的感光层；在用于制作器件的器件衬底上涂覆光致抗蚀剂；将所述柔性透明转移衬底与已涂覆光致抗蚀剂的器件衬底紧密接触；用第二光源通过所述柔性透明转移衬底照射所述器件衬底，以通过对所述光致抗蚀剂曝光将所述柔性透明转移衬底的感光层的图案转移到所述器件衬底的光致抗蚀剂上；以及对包括已曝光光致抗蚀剂的所述器件衬底进行显影，得到与所述光刻掩模板的图案一致的器件图案。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所，未经中国科学院光电技术研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711316102.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：感光树脂组合物
- 下一篇：负折射成像光刻方法和设备
