[发明专利]一种具有失调消除结构的运算放大器及放大器电路

摘要

本发明公开的一种具有失调消除结构的运算放大器，第四PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极分别连接第一电容的两侧，且第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极相连接，第四PMOS管的栅极通过第一开关与第四PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相连接；第二NMOS管的栅极接反向输入端，第一NMOS管的栅极接正向输入端；所述正向输入端通过第二开关与反向输入端相连接。本发明公开的一种具有失调消除结构的放大器电路，使得整个放大器电路的失调电压存储在五管运算放大器电路中的第一电容C1上，避免了传统的输入失调消除结构的精度损失，也避免了传统输出失调消除结构由于增加预放大电路而带来的面积和功耗的增加。

主权项

1.一种具有失调消除结构的运算放大器，其特征在于，所述运算放大器的电路结构包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管和尾电流NMOS管；其中，第四PMOS管的源极和第三PMOS管的源极均接电源(VDD)；第四PMOS管的栅极和第三PMOS管的栅极分别连接第一电容(C1)的两侧，且第三PMOS管的栅极与第三PMOS管的漏极和第一NMOS管的漏极相连接，第四PMOS管的栅极通过第一开关(S1)与第四PMOS管的漏极和第二NMOS管的漏极相连接；第四PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连且共同连接至输出端(VOUT)；第二NMOS管的源极和第一NMOS管的源极相连接且共同连接至尾电流NMOS管的漏极；第二NMOS管的栅极接反向输入端(VIN)，第一NMOS管的栅极接正向输入端(VIP)；尾电流NMOS管的栅极连接偏置电压(VBN)，尾电流NMOS管的源极接地(VSS)，所述正向输入端(VIP)通过第二开关(S2)与反向输入端(VIN)相连接。