[发明专利]互连结构的设计方法、装置及制造方法有效
| 申请号： | 201711316382.9 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920787B | 公开（公告）日： | 2021-05-25 |
| 发明（设计）人： | 卑多慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种互连结构的设计方法、装置及制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：根据芯片设计图的电路区域中金属互连层的数量设计n种虚拟互连单元，第i种虚拟互连单元包括i层金属互连层，第j种虚拟互连单元中相邻的金属互连层通过通孔连接，其中，n≥2，1≤i≤n，2≤j≤n；在芯片设计图中除电路区域之外的区域中填充虚拟互连单元，其中，优先填充第j种虚拟互连单元，在所述区域中没有空间用于填充第j种虚拟互连单元的情况下，才填充第j‑1种虚拟互连单元。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 设计 方法 装置 制造 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的设计方法，包括：根据芯片设计图的电路区域中金属互连层的数量设计n种虚拟互连单元，第i种虚拟互连单元包括i层金属互连层，第j种虚拟互连单元中相邻的金属互连层通过通孔连接，其中，n≥2，1≤i≤n，2≤j≤n；在芯片设计图中除电路区域之外的区域中填充虚拟互连单元，其中，优先填充第j种虚拟互连单元，在所述区域中没有空间用于填充第j种虚拟互连单元的情况下，才填充第j‑1种虚拟互连单元。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
