[发明专利]一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法有效
| 申请号： | 201711316661.5 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904058B | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 曲翔;王海涛;王新;李耀东;梁雨东;何宇;杨凯;徐继平;苏冰;路一辰;史训达 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;H01L21/673;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法，该方法中所使用的石英舟为具有台阶状舟齿的石英舟，包括以下步骤：(1)将具有台阶状舟齿的石英舟置于垂直炉炉体内，将硅片置于石英舟上；(2)沉积多晶硅薄膜，控制多晶硅薄膜的生长速率；(3)控制降温速率使硅片降温到室温；(4)控制机械手精准取片；(5)抛光硅片正表面，检查硅片正表面参数，确定是否发生边缘损伤。本发明可以有效解决沉积多晶硅时对硅抛光片的正面损伤问题，从而提高硅抛光片边缘质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 降低 抛光 正面 边缘 损伤 方法 | ||
【主权项】：
1.一种降低硅抛光片正面边缘损伤的方法，其特征在于，该方法中所使用的石英舟为具有台阶状舟齿的石英舟，包括以下步骤：(1)将具有台阶状舟齿的石英舟置于垂直炉炉体内，将硅片置于石英舟上；(2)沉积多晶硅薄膜，控制多晶硅薄膜的生长速率；(3)控制降温速率使硅片降温到室温；(4)控制机械手精准取片；(5)抛光硅片正表面，检查硅片正表面参数，确定是否发生边缘损伤。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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