[发明专利]一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法有效
| 申请号： | 201711316664.9 | 申请日： | 2017-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN109904070B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 宁永铎;边永智;钟耕杭;程凤伶;郑宇;张亮 | 申请（专利权）人： | 有研半导体材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;H01L21/311;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青 |
| 地址： | 101300 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法。该方法包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背封薄膜表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜，该掩蔽蓝膜直径比衬底晶圆直径小0.2‑5mm；(2)将粘贴有掩蔽蓝膜的衬底晶圆放入氢氟酸溶液中去除二氧化硅薄膜；经过表面清洗后再进入酸腐蚀机去除多晶硅薄膜；(3)再次经过表面清洗后进入去膜机去除掩蔽蓝膜，再次经过表面清洗干燥，衬底边缘处理工序完成。采用本发明的方法可以实现衬底边缘的二氧化硅和多晶硅薄膜的去除，使最终衬底留存的背封膜垂直方向上对齐，去除边缘均匀整齐；衬底晶圆表面均匀，损伤少，可以减少或取消边缘抛光加工，降低生产成本，提高工作效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直径 衬底 边缘 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种大直径晶圆的衬底边缘处理方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)在衬底晶圆背封薄膜表面粘贴一层聚四氟乙烯掩蔽蓝膜，该掩蔽蓝膜直径比衬底晶圆直径小0.2‑5mm；(2)将粘贴有掩蔽蓝膜的衬底晶圆放入氢氟酸溶液中去除二氧化硅薄膜；经过表面清洗后再进入酸腐蚀机去除多晶硅薄膜；(3)再次经过表面清洗后进入去膜机去除掩蔽蓝膜，再次经过表面清洗干燥，衬底边缘处理工序完成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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