[发明专利]一种等离子体刻蚀反应器在审
| 申请号： | 201711318324.X | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN109920715A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 贺小明;陈星建;刘身健;倪图强 | 申请（专利权）人： | 中微半导体设备（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人： | 潘朱慧 |
| 地址： | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于等离子体刻蚀反应器，反应器包括腔体，腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到反应空间形成等离子体，对基片进行刻蚀，腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。本发明具有改善等离子腔体内部表面或腔体内壁表面的结构稳定性，提高等离子体刻蚀过程的性能，且满足先进的等离子体刻蚀工艺的要求，降低生产成本的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体涂层 表面材料层 腔体 等离子体刻蚀反应器 等离子体 等离子体刻蚀 反应空间 刻蚀 化合物组成 结构稳定性 等离子腔 反应气体 内壁表面 腔体内壁 射频功率 反应器 粗糙度 孔隙率 体内部 晶圆 体内 腐蚀 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀反应器，所述反应器包括腔体，所述腔体围绕而成的空间内设置有待处理基片，基片上方包括反应空间，反应气体和射频功率被输送到所述反应空间形成等离子体，对所述基片进行刻蚀，其特征在于，所述腔体的内壁表面形成有抗等离子体涂层，以防止腔体内刻蚀晶圆用的等离子体对内壁的腐蚀，所述抗等离子体涂层的表面材料层的粗糙度≤1μm，且所述抗等离子体涂层的表面材料层的孔隙率低于1％，厚度大于10um，所述抗等离子体涂层的表面材料层由包括氟和钇的化合物组成。
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