[发明专利]一种Si通孔金属化制作方法在审
| 申请号： | 201711318348.5 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN107833859A | 公开（公告）日： | 2018-03-23 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都海威华芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙)51223 | 代理人： | 徐丰,张巨箭 |
| 地址： | 610029 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种Si通孔金属化制作方法，包括以下步骤S1在Si衬底上进行通孔蚀刻；S2对通孔蚀刻完成的Si衬底表面进行清洗处理；S3在清洗完成的Si衬底表面进行金属粘附层的制作；S4采用纳米银浆对通孔进行填充，并完成固化；S5对完成固化的整个晶圆进行清洗处理，并在完成后在晶圆的上下面完成图形化厚金属制作。本发明提出一种Si通孔金属化制作方法，采用纳米银浆固化工艺，替代传统金属Cu填充工艺，并在表面通过电镀金属Au，使其与含O2环境隔离，从而实现金属化良好的深Si通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 si 金属化 制作方法 | ||
【主权项】：
一种Si通孔金属化制作方法，其特征在于：包括以下步骤：S1：在Si衬底上进行通孔蚀刻；S2：对通孔蚀刻完成的Si衬底表面进行清洗处理；S3：在清洗完成的Si衬底表面进行金属粘附层的制作；S4：采用纳米银浆对通孔进行填充，并完成固化；S5：对完成固化的整个晶圆进行清洗处理，并在完成后在晶圆的上下面完成图形化厚金属制作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
