[发明专利]一种晶硅太阳能电池的失效分析方法有效
| 申请号： | 201711318349.X | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108039328B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 宫欣欣;张林;张昕宇;金浩;郑晶茗 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种晶硅太阳能电池的失效分析方法，包括测试失效的晶硅太阳能电池的第一性能；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的金属，露出减反射膜层和钝化层，测量此时电池的第二性能，包括光学性能、电学性能和所述减反射膜层的厚度；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的减反射膜层和钝化层，露出扩散层，测量此时的第三性能；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的扩散层，测量此时电池的第四性能；根据所述第一性能、所述第二性能、所述第三性能和所述第四性能分析出电池失效原因。上述方法能够对电池进行层层剖析，细节到针对每环工序去查找电池片低效的原因，达到量产增效的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 太阳能电池 失效 分析 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶硅太阳能电池的失效分析方法，其特征在于，包括：测试失效的晶硅太阳能电池的第一性能，包括电学性能、光学性能和电极尺寸；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的金属，露出减反射膜层和钝化层，测量此时电池的第二性能，包括光学性能、电学性能和所述减反射膜层的厚度；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的减反射膜层和钝化层，露出扩散层，测量此时的第三性能，包括扩散层的结深和表面浓度；去除所述晶硅太阳能电池的正面和背面的扩散层，测量此时电池的第四性能，包括电阻率；根据所述第一性能、所述第二性能、所述第三性能和所述第四性能分析出电池失效原因。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
