[发明专利]半导体结构及其形成方法

摘要

一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供基底，基底上具有鳍部，沿鳍部延伸方向上，鳍部包括栅极区和位于栅极区两侧的外延区，栅极区鳍部侧壁和顶部具有横跨鳍部的栅极结构；在基底上、外延区鳍部侧壁和顶部、以及栅极结构侧壁和顶部形成保护膜；去除外延区的部分保护膜和部分鳍部，形成第一开口，第一开口沿垂直于鳍部延伸方向上贯穿鳍部；去除第一开口底部部分鳍部，形成第二开口，第二开口顶部尺寸大于底部尺寸；形成第二开口后，去除外延区的部分保护膜，形成保护层，保护层顶部低于第一开口底部，且保护层暴露出部分鳍部侧壁；在第一开口和第二开口内、以及保护层暴露出的鳍部表面形成外延层。所述方法形成的晶体管的性能较好。

主权项

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上具有鳍部，沿鳍部延伸方向上，所述鳍部包括栅极区和位于栅极区两侧的外延区，所述栅极区鳍部的侧壁和顶部表面具有横跨所述鳍部的栅极结构；在所述基底上、外延区鳍部的侧壁和顶部表面、以及栅极结构的侧壁和顶部表面形成保护膜；去除所述外延区的部分保护膜和部分鳍部，形成第一开口，所述第一开口沿垂直于鳍部的延伸方向上贯穿鳍部；去除所述第一开口底部部分的鳍部，在第一开口底部形成第二开口，所述第二开口的顶部尺寸大于底部尺寸；形成第二开口之后，去除外延区的部分保护膜，形成保护层，所述保护层顶部低于第一开口底部，且所述保护层暴露出部分鳍部的侧壁；在所述第一开口和第二开口内、以及保护层暴露出的鳍部表面形成外延层。