[发明专利]梯度及非梯度SiCw增韧硼化物基复合陶瓷材料及其制备方法

摘要

本发明涉及一种梯度及非梯度SiCw增韧硼化物基复合陶瓷材料及其制备方法。该复合陶瓷材料以硼化物MB2作为基体，10％～30％体积分数的碳化硅颗粒SiCp和10％～20％体积分数的碳化硅晶须SiCw作为增韧相。其制备是将原料通过反应热压烧结，在900～1200℃原位合成硼化物基体相，在1400～1600℃原位生成SiCp和SiCw增韧相，并在1800～2000℃加压烧结制备致密的硼化物基复合陶瓷。采用本发明的制备方法，使得基体中的增韧相分布均匀，基体与增韧相的化学相容性好，结合力强，因而材料具有优良的综合力学性能，并且可以通过不同原料配方的简单叠层反应烧结制备界面应力低的梯度结构材料，同时其工艺步骤少，制备效率高。

主权项

1.一种梯度及非梯度SiCw增韧硼化物基复合陶瓷材料，该复合陶瓷材料以硼化物MB2作为基体，10％～30％体积分数的碳化硅颗粒SiCp和10％～20％体积分数的碳化硅晶须SiCw作为增韧相；其中，非梯度SiCw增韧硼化物基复合陶瓷材料中SiCp和SiCw呈均匀分布；梯度SiCw增韧硼化物基复合陶瓷材料中SiCp和SiCw沿一个或多个方向呈梯度分布。