[发明专利]双面OLED显示器及其制作方法在审
申请号: | 201711320324.3 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN108110032A | 公开(公告)日: | 2018-06-01 |
发明(设计)人: | 匡友元 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种双面OLED显示器及其制作方法。该双面OLED显示器包括阵列基板以及设于阵列基板上的多个OLED器件及像素隔离柱,阵列基板上设有呈阵列式排布的多个像素区,该多个像素区包括依次交替设置的第一像素区及第二像素区,像素隔离柱对应相邻的像素区的交界处设置,多个OLED器件包括设于第一像素区内的第一OLED器件及设于第二像素区内的第二OLED器件,第一OLED器件及第二OLED器件的结构倒置,发光方向相反,从而使该双面OLED显示器在显示时,向第一、第二OLED器件所在的像素分别提供正向显示信号及反向显示信号,即可实现双面显示,扩大了OLED显示器的应用范围。 | ||
搜索关键词: | 像素区 阵列基板 像素 像素隔离柱 显示信号 阵列式排布 方向相反 交替设置 双面显示 倒置 交界处 正向 制作 发光 应用 | ||
【主权项】:
1.一种双面OLED显示器,其特征在于,包括:阵列基板(10)、设于阵列基板(10)上的多个OLED器件(20)以及设于阵列基板(10)上的像素隔离柱(30);所述阵列基板(10)上设有呈阵列式排布的多个像素区(11),所述多个像素区(11)包括依次交替设置的第一像素区(111)及第二像素区(112);所述像素隔离柱(30)对应相邻的像素区(11)的交界处设置;所述多个OLED器件(20)包括设于第一像素区(111)内的第一OLED器件(21)及设于第二像素区(112)内的第二OLED器件(22);所述第一OLED器件(21)包括由下至上依次设置的第一阳极(211)、第一空穴注入层(212)、第一空穴传输层(213)、第一发光层(214)、第一电子传输层(215)及第一阴极(216);所述第二OLED器件(22)包括由下至上依次设置的第二阴极(221)、第二电子传输层(222)、第二发光层(223)、第二空穴传输层(224)、第二空穴注入层(225)及第二阳极(226);所述第一阳极(211)及第二阳极(226)的材料均为透明材料;所述第一阴极(216)及第二阴极(221)的材料均为不透明材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的