[发明专利]一种利用分层施肥种植富硒萝卜的方法在审
申请号: | 201711322585.9 | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN107996334A | 公开(公告)日: | 2018-05-08 |
发明(设计)人: | 蔡昌菊 | 申请(专利权)人: | 蔡昌菊 |
主分类号: | A01G22/25 | 分类号: | A01G22/25;A01C21/00;C05G1/00;C05G3/04 |
代理公司: | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人: | 李春芳 |
地址: | 615000 四川省凉山彝*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本发明涉及一种利用分层施肥种植富硒萝卜的方法,包括以下步骤:(1)、选择向阳、排水性能好的土壤,在土壤中挖种植坑,种植坑深2m,宽0.6m,相邻种植坑间距0.2‑0.5m;(2)、在种植坑内填种植;(3)、在每年3‑4月份进行种植,种植深度为8‑12cm,株间距为30cm;(4)、日常管理;本发明提供的富硒萝卜的种植方法采用深挖种植坑,分层施肥的方法进行施肥,由于种植坑中土壤较松软,有利于萝卜向下生长,种植出的萝卜表面光滑、粗细均匀,同时促进萝卜吸收养料的根向下延伸,促进对肥料的吸收,肥料利用率高,在萝卜生长过程中不需要追肥,节省了人力物力,可以大大提高肥料的吸收率。 | ||
搜索关键词: | 一种 利用 分层 施肥 种植 萝卜 方法 | ||
【主权项】:
1.一种利用分层施肥种植富硒萝卜的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)、选择向阳、排水性能好的土壤,在土壤中挖种植坑,种植坑深2m,宽0.6m,相邻种植坑间距0.2-0.5m;(2)、在种植坑内填种植土,在种植坑深度为1.4-2m处,种植土为肥料A与砂质土壤按重量比1:18-20的混合物,在种植坑深度0.5-1.4m处,种植土为肥料B与砂质土壤按重量比1:9-12的混合物,在种植坑深度为0.5m-0.1m处,种植土为肥料C与砂质土壤重量比1:5-8的混合物,种植坑深度0.1m至表层覆盖黏土,在填土完成后,浇水,使土壤紧实;(3)、在每年3-4月份进行种植,种植深度为8-12cm,株间距为30cm;(4)、日常管理,在萝卜种植后,按株浇水,每株浇水0.2-0.5L,在萝卜秧苗长至25cm时,给萝卜架支架供萝卜枝条生长,定时进行浇水,防虫;上述步骤中肥料A由以下组份按重量配比得到:腐熟的鸡粪50-65份、腐熟的牛粪30-50份、硫酸钾4-8份、亚硒酸钠0.5-1份;肥料B由以下组份按重量配比得到:硫酸钾8-12份、磷酸二胺5-8份、蚯蚓粪10-15份、豆饼8-10份、腐殖质20-25份、亚硒酸钠1-3份、EM菌0.1-0.2份;肥料C由以下组份按重量配比得到:尿素6-8份、磷酸二胺3-5份、硫酸钾2-5份、腐熟的牛粪40-50份、腐熟的猪粪40-50份、硫酸亚铁1-2份。
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