[发明专利]光刻胶处理方法在审
| 申请号： | 201711323254.7 | 申请日： | 2017-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN108107673A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/16;G03F7/20 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光刻胶处理方法，所述光刻胶处理方法包括：在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 掩膜板 曝光处理 掩膜区域 半导体衬底表面 光刻胶边缘 光刻胶结构 曝光开口 显影处理 倒梯形 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种光刻胶处理方法，其特征在于，包括：在半导体衬底表面依次形成第一光刻胶和第二光刻胶，其中所述第二光刻胶覆盖所述第一光刻胶；采用第一掩膜板对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行第一次曝光处理，其中被所述第一掩膜板覆盖的区域为第一掩膜区域；采用第二掩膜板并通过所述第二光刻胶对所述第一光刻胶进行第二次曝光处理，以在所述第一掩膜区域的第一光刻胶边缘形成曝光开口区域；对所述第一光刻胶和所述第二光刻胶进行显影处理，形成倒梯形的光刻胶结构。
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