[发明专利]负折射成像光刻方法和设备在审

专利信息
申请号: 201711323769.7 申请日: 2017-12-11
公开(公告)号: CN109901363A 公开(公告)日: 2019-06-18
发明(设计)人: 罗先刚;王彦钦;王长涛;刘玲;孔维杰;高平 申请(专利权)人: 中国科学院光电技术研究所
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 倪斌
地址: 610209 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本公开的实施例提出了一种负折射成像光刻方法和设备。所述光刻方法包括:在器件衬底上涂覆光致抗蚀剂;制备负折射结构,其中所述负折射结构对于曝光光源发射的光的波长表现出负折射率;将光刻板与所述负折射结构贴合;将所述光刻板和所述负折射结构置于所述器件衬底上方,与所述器件衬底间隔开投影间隙的投影距离;以及曝光光源发射光,依次通过所述光刻板、所述负折射结构、投影间隙投射到所述光致抗蚀剂上进行曝光。负折射成像光刻方法和设备无需传统投影光刻所需的几十个面形和位置都为纳米精度的镜片,成本可以急剧降低;同时所述方法具有无光轴成像特点,整个负折射成像结构具有空间平移对称性,可以实现大成像视场光刻。
搜索关键词: 负折射 方法和设备 成像光刻 光刻板 衬底 光刻 光致抗蚀剂 曝光光源 投影间隙 成像结构 成像视场 成像特点 传统投影 负折射率 空间平移 投影距离 发射光 波长 光轴 镜片 面形 贴合 投射 涂覆 制备 发射 曝光 表现
【主权项】:
1.一种负折射成像光刻方法,包括:在器件衬底上涂覆光致抗蚀剂;制备负折射结构,其中所述负折射结构对于曝光光源发射的光的波长表现出负折射率;将光刻板与所述负折射结构贴合;将所述光刻板和所述负折射结构置于所述器件衬底上方,与所述器件衬底间隔开投影间隙的投影距离;以及曝光光源发射光,依次通过所述光刻板、所述负折射结构、投影间隙投射到所述光致抗蚀剂上进行曝光。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院光电技术研究所,未经中国科学院光电技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711323769.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top