[发明专利]一种制备石墨烯-氮化硼复合薄膜的方法在审
| 申请号： | 201711323862.8 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109920718A | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 董国材;储富强 | 申请（专利权）人： | 常州国成新材料科技有限公司;常州大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 213149 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种制备石墨烯‑氮化硼复合薄膜的方法，该方法采用分子束外延（MBE）技术得到氮化硼薄膜，然后利用化学气相沉积（CVD）技术在氮化硼表面沉积石墨烯薄膜。该方法可实现规模量产，而且工艺简单，无需多次转移。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化硼 复合薄膜 石墨烯 制备 化学气相沉积 氮化硼薄膜 分子束外延 石墨烯薄膜 表面沉积 规模量 | ||
【主权项】：
1.一种制备石墨烯‑氮化硼复合薄膜的方法，其特征在于，采用分子束外延技术得到氮化硼薄膜，然后利用CVD技术在氮化硼表面沉积石墨烯薄膜，具体技术方案如下：（1）基底表面的清洁：每片基底清洁需要多次清洁循环，每个循环包括氩离子轰击，氧气环境下加热，真空下快速退火；（2）硼氮源通过一个蒸镀源连接到生长腔上；往真空腔中通入一定量的硼氮源，将加热器加热到反应温度；当h‑BN生长过程结束后关闭加热器，自然降温至室温，得到氮化硼薄膜；（3）将生长有h‑BN薄膜的基底移动到化学气相沉积区域，通入含碳气体，升温至反应温度，待石墨烯沉积完成后，迅速降温至室温，得到石墨烯‑氮化硼复合薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
