[发明专利]半导体结构及晶体管的形成方法

摘要

一种半导体结构及晶体管的形成方法，形成方法包括：提供衬底，衬底上具有预制柱；在预制柱的部分侧壁上形成底部前驱层；对底部前驱层进行第一退火处理；去除经第一退火处理的底部前驱层；形成底部插塞；在底部插塞上形成底部隔离层；在底部隔离层上形成全包围栅极结构；在全包围栅极结构上形成顶部隔离层；在预制柱的部分侧壁上形成顶部前驱层；对顶部前驱层进行第二退火处理；去除经第二退火处理的顶部前驱层；在顶部隔离层上形成顶部插塞。本发明技术方案能够实现在垂直沟道的全包围栅极晶体管中形成与源漏掺杂区相接触的插塞，并实现对预制柱部分侧壁进行底部掺杂和顶部掺杂，以实现改善晶体管电学性能的目的。

主权项

1.一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底上具有预制柱，所述预制柱垂直所述衬底表面；在所述预制柱的部分侧壁上形成底部前驱层，所述底部前驱层内具有底部掺杂离子；对所述底部前驱层进行第一退火处理，使所述底部掺杂离子向所述预制柱内扩散，对所述预制柱的部分侧壁进行底部掺杂；去除经所述第一退火处理的底部前驱层；形成底部插塞，所述底部插塞与经底部掺杂的预制柱侧壁电连接；在所述底部插塞上形成底部隔离层；在所述底部隔离层上形成全包围栅极结构，所述全包围栅极结构包围所述预制柱；在所述全包围栅极结构上形成顶部隔离层；形成所述顶部隔离层之后，在所述预制柱的部分侧壁上形成顶部前驱层，所述顶部前驱层内具有顶部掺杂离子；对所述顶部前驱层进行第二退火处理，使所述顶部掺杂离子向所述预制柱内扩散，对所述预制柱的部分侧壁进行顶部掺杂；去除经所述第二退火处理的顶部前驱层；在所述顶部隔离层上形成顶部插塞，所述顶部插塞与经顶部掺杂的预制柱侧壁电连接。