[发明专利]一种全无机纳米流体二极管的制备方法有效
| 申请号： | 201711324943.X | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108178119B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 张倩倩;刘齐荣;刘兆阅 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | B81B1/00 | 分类号： | B81B1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京永创新实专利事务所 11121 | 代理人： | 姜荣丽 |
| 地址： | 100191*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种全无机纳米流体二极管的制备方法，属于功能材料技术领域。本发明采用反应磁控溅射的方法，以多孔阳极氧化铝(AAO)为基底，在其两侧表面分别制备两种具有差异等电点的无机氧化物薄膜；随后，高温煅烧促使无机氧化物薄膜结晶，即可得到在中性水溶液中，两侧表面带异种电荷的纳米流体二极管。本发明制备工艺简单、且可大面积制备；本发明制备出的纳米流体二极管具有类似于生物离子通道的典型的整流效应，较大的电流以及较高的整流比使其具有更广泛的实际应用空间；通过调节电解质溶液pH值可以改变纳米流体二极管的整流比。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 无机 纳米 流体 二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全无机纳米流体二极管的制备方法，其特征在于：具体步骤包括，第一步，以多孔阳极氧化铝为基底，在基底两侧分别制备两种具有差异等电点的无机氧化物薄膜：(1.1)基底清洗；(1.2)磁控溅射镀膜，首先，选取溅射靶材A，在基底一侧沉积氧化物A薄膜；(1.3)切换溅射靶材B，利用磁控溅射方法在基底另一侧沉积氧化物B薄膜，即得到具有三明治结构的全无机多孔薄膜；第二步，将上述全无机多孔薄膜在空气中于500～900℃温度下煅烧1～3小时，即得到全无机纳米流体二极管，在中性水溶液中，所述的全无机纳米流体二极管的两侧表面带有异种电荷。
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