[发明专利]一种中间带太阳能吸收半导体及其制备方法

摘要

本发明公开了一种中间带太阳能吸收半导体及其制备方法，化学通式为MgIn_2‑xNi_xS₄，式中02S₄三元化合物中部分In原子被Ni原子所取代得到MgIn_2‑xNi_xS₄，然后按照MgIn_2‑xNi_xS₄的化学计量比称取Mg、In、S和Ni原料，真空封装于石英玻璃管内升温至700‑800℃反应烧结，保温24‑48小时后随炉冷却，然后在相同条件下二次反应烧结即得；所得的中间带太阳能吸收半导体具有多带隙宽光谱太阳能吸收能力，有望推动中间带半导体材料与高效太阳能电池技术的发展。

主权项

1.一种中间带太阳能吸收半导体，其特征在于，所述半导体的化学通式为MgIn_2‑xNi_xS₄，式中0<x<2；其中：所述MgIn_2‑xNi_xS₄具有半满中间带的电子能带结构，由母体化合物MgIn₂S₄中部分In原子被Ni原子取代得到。