[发明专利]一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法在审
| 申请号： | 201711328164.7 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108213413A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 曹维成;陈进;安耿;陈强;邓军 | 申请（专利权）人： | 金堆城钼业股份有限公司 |
| 主分类号： | B22F1/02 | 分类号： | B22F1/02;C23C14/02;C23C14/16;C23C14/22;C23C14/35;C23C16/26 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人： | 王珂瑜 |
| 地址： | 710077 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，具体按照以下步骤实施：步骤1，钼粉提纯，将钼粉在氢气炉内进行高温还原以祛除表面的氧化层，步骤2，磁控溅射，所用靶材为铜或者铬，步骤3，碳纳米管生长，将步骤2中表面已经溅射铜，铬催化剂的钼粉，放入CVD炉内进行碳纳米管生长，步骤4，热压，将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料，在热压炉内尽心热压烧结，将拓扑结构的钼与碳纳米管的复合材料，在热压炉内尽心热压烧结。采用碳纳米管进行复合的方法，解决了现有技术中制备的封装材料热导率不高和孔隙率高的缺点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳纳米管 钼粉 制备 电子封装材料 碳纳米管生长 拓扑结构 复合材料 烧结 热压炉 钼基 步骤实施 磁控溅射 封装材料 高温还原 铬催化剂 孔隙率 氢气炉 热导率 氧化层 提纯 靶材 放入 溅射 热压 复合 | ||
【主权项】：
1.一种钼基碳纳米管电子封装材料的制备方法，其特征在于，具体按照以下步骤实施：步骤1，钼粉提纯，步骤2，磁控溅射，步骤3，碳纳米管生长，步骤4，热压。
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