[发明专利]垂直双扩散场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201711328199.0 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108091695B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 南京溧水高新创业投资管理有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳峰诚志合知识产权代理有限公司 44525 | 代理人： | 李明香 |
| 地址： | 210000 江苏省南京*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种垂直双扩散场效应晶体管包括N型衬底、第一层N型外延、形成于第一层N型外延的第一沟槽与第二沟槽、形成于第一、第二沟槽底部的P型区域、形成于第一、第二沟槽侧壁的氧化硅、形成于第一、第二沟槽中的氧化硅与P型区域上的多晶硅、形成于第一层N型外延及多晶硅与氧化硅上的P型外延、贯穿P型外延且对应第一沟槽与第二沟槽之间的第一层N型外延层的第三沟槽、位于第三沟槽中的第二层N型外延、位于P型外延表面的第一N型注入区、第二N型注入区、贯穿第一、第二N型注入区并延伸至第P型外延的第一、第二P型注入区、依次形成的氧化硅层与多晶硅层、形成于多晶硅层上、第一、第二及第三N型注入区上的介质层、第一通孔、第二通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 扩散 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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