[发明专利]一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法

摘要

一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置及方法，反应腔内设置上电极和下电极，下电极上施加一射频功率源，下电极上设置静电吸盘，静电吸盘支撑并夹持晶片，一聚焦环环绕设置在晶片周围，一电容调节装置设置在下电极周围，以改变下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，根据施加在聚焦环上的偏置功率大小通过电容调节装置来调节下电极与聚焦环上表面之间的总电容值，使晶片边缘区域和中心区域维持稳定的刻蚀速率。本发明可以有效调节晶片表面的等离子体分布，以获得均匀稳定的刻蚀速率，保证晶片边缘区域和中心区域的刻蚀均匀性，大大延长聚焦环的使用寿命，节省了成本。

主权项

1.一种均衡刻蚀速率的等离子体处理装置，其特征在于，包含：一反应腔，反应腔内设置上电极和下电极，下电极上施加一射频功率源，下电极上设置静电吸盘，静电吸盘支撑并夹持晶片，一聚焦环环绕设置在晶片周围，一电容调节装置设置在下电极周围，以改变下电极与聚焦环上表面之间的总电容值；所述等离子体处理装置还包含一控制器，所述控制器中存储有一个电容优化数据库，所述电容优化数据库中包含多个数据组，每个数据组包含施加到下电极的不同偏置功率和对应的下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值，其中下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为最佳取值时晶片上的等离子处理效果最均一；所述控制器根据射频功率源施加到下电极的偏置功率和所述电容优化数据库，选取所述下电极与聚焦环上表面之间的总电容值的最佳取值并调节所述电容调节装置的电容值，使得下电极与聚焦环上表面之间的总电容值为当前偏置功率对应的最佳值。