[发明专利]半导体器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711330960.4 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108074965A | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘张李 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的半导体器件及其制备方法，包括：提供半导体基板，包括依次层叠的衬底、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层及第二半导体层；在部分半导体基板表面形成牺牲栅极；采用大电流氧等离子体对半导体基板进行离子注入，注入深度对应第一半导体层；去除牺牲栅极，并进行热退火处理，氧化未覆盖牺牲栅极对应的第一半导体层形成氧化层，氧化层、第一绝缘层及第二绝缘层隔离层，将牺牲栅极下方的部分第一半导体层与衬底隔离；在半导体基板中形成通孔结构或外延层，将第一半导体层电性接出。本发明中，使用作体端电性接出的第一半导体层通过隔离层与衬底进行隔离，充当背栅控制，能够根据需要加载合适的偏置电压，防止漏电，提高器件的射频特性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 牺牲栅极 绝缘层 半导体基板 衬底 半导体器件 氧化层 制备 半导体基板表面 隔离 半导体层电性 绝缘层隔离 氧等离子体 偏置电压 射频特性 通孔结构 依次层叠 漏电 大电流 隔离层 热退火 外延层 背栅 电性 加载 体端 去除 离子 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板包括依次层叠的衬底、第一绝缘层、第一半导体层、第二绝缘层及第二半导体层；在部分所述半导体基板表面形成牺牲栅极；采用大电流氧等离子体对所述半导体基板进行离子注入，注入深度对应所述第一半导体层；去除所述牺牲栅极，并进行热退火处理，氧化未覆盖所述牺牲栅极对应的第一半导体层形成氧化层，所述氧化层、第一绝缘层及第二绝缘层隔离层，将牺牲栅极下方的部分第一半导体层与所述衬底隔离；在所述半导体基板中形成通孔结构或外延层，采用所述通孔结构或外延层将所述第一半导体层电性接出。
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