[发明专利]纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法在审
| 申请号： | 201711335666.2 | 申请日： | 2017-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN108109904A | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 陈岩;徐云;韦欣;李健;陈华民;朱海军;宋国峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 喻颖 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉及其制备方法，该制备方法包括：对源材料砷化镉固体粉末进行加热使其在规定的气氛下蒸发，蒸发出的源物质通过特定大小的气流输运到距离源物质一定距离的衬底上，在一定的加热时间内源物质在衬底上成核、结晶从而生长出纳米线状砷化镉。本发明的制备方法操作简单、成本低廉、安全可靠并且可以在一定程度上控制纳米线状砷化镉的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 砷化 制备 纳米线 半金属 衬底 加热 形貌 固体粉末 距离源 源材料 源物质 米线 内源 输运 出纳 蒸发 生长 | ||
【主权项】：
1.一种纳米线状狄拉克半金属砷化镉的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对源物质进行加热使其在氮气或者氩气的保护气氛下蒸发；通过载气将上述蒸发出的源物质输运到距离源物质20～30cm远的衬底上，在500～600℃加热20～60min，使所述源物质在所述衬底上成核、结晶从而生长得到所述纳米线状狄拉克半金属砷化镉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
