[发明专利]提升管式PECVD工艺产能的方法及其应用在审
申请号: | 201711336123.2 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN108048821A | 公开(公告)日: | 2018-05-18 |
发明(设计)人: | 王斌;何悦;周东;王在发;任勇 | 申请(专利权)人: | 尚德太阳能电力有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C23C16/513 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 王洁;郑暄 |
地址: | 201114 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种提升管式PECVD工艺产能的方法,所述的方法包括:镀膜后抽真空并控制系统的温度,使得炉管保持持续加热状态。本发明还涉及一种管式PECVD工艺产能的方法的应用。采用了本发明的提升管式PECVD工艺产能的方法,摒弃传统工艺技术,从非镀膜工艺流程(镀膜后辅助流程)上实现工艺运行时间缩短,从而实现产能提升;实际工艺运行起始温度能够提高30℃,升温步骤可节约时间3min(调整前升温耗时8~10min,调整后升温耗时5~7min)。 | ||
搜索关键词: | 提升 pecvd 工艺 产能 方法 及其 应用 | ||
【主权项】:
1.一种提升管式PECVD工艺产能的方法,其特征在于,所述的方法包括:镀膜后抽真空并控制系统的温度,使得炉管保持持续加热状态。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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