[发明专利]一种沟槽型双势垒肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711336841.X | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108122995A | 公开（公告）日： | 2018-06-05 |
| 发明（设计）人： | 倪炜江;袁俊;张敬伟;孙安信 | 申请（专利权）人： | 北京世纪金光半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/45;H01L29/47;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 张宇锋 |
| 地址： | 100176 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型双势垒肖特基二极管及其制备方法，该肖特基二极管的有源区为沟槽结构，台面顶部的势垒调制层的离子注入浓度高于沟道和漂移层的浓度；有源区凹槽的深度为dt,宽度为Wt；台面宽度为Wm，p+区的结深为dp；其中，Wt大于1μm，Wm大于0.5μm，dt大于0.5μm，dp大于0.5μm。本发明利用镜像力势垒降低的方法在台面上形成低势垒肖特基接触，在台面侧壁形成常规势垒的肖特基接触，增加导电通道。沟槽底部进行p+掺杂并进行欧姆接触，形成并联的pn二极管，增强器件的浪涌能力，同时屏蔽肖特基导电沟道，增加器件的耐压能力和耐高温能力。本发明的SiC肖特基二极管能够降低器件的势垒，同时保持优越的耐高压、高温特性和浪涌能力。 | ||
| 搜索关键词： | 肖特基二极管 势垒 肖特基接触 台面 沟槽型 双势垒 浪涌 源区 制备 耐高温能力 导电沟道 导电通道 高温特性 沟槽结构 降低器件 耐压能力 欧姆接触 台面侧壁 低势垒 调制层 镜像力 耐高压 漂移层 肖特基 并联 沟道 屏蔽 离子 掺杂 | ||
【主权项】：
一种沟槽型双势垒肖特基二极管，其特征在于，所述肖特基二极管的有源区为沟槽结构，台面顶部的势垒调制层的离子注入浓度高于沟道和漂移层的浓度；有源区凹槽的深度为dt,宽度为Wt；台面宽度为Wm，p+区的结深为dp；其中，Wt大于1μm，Wm大于0.5μm，dt大于0.5μm，dp大于0.5μm。
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