[发明专利]瞬态电压抑制器及其制作方法在审
| 申请号： | 201711337521.6 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108091649A | 公开（公告）日： | 2018-05-29 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 深圳市晶特智造科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419 | 代理人： | 曹明兰 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种瞬态电压抑制器及其制作方法。所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延上的P型外延、形成于所述P型外延上的氧化硅层、贯穿所述氧化硅层、所述P型外延并延伸至所述N型外延中的沟槽、形成于所述沟槽底部的N型外延上的P型注入区、形成于所述沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述沟槽中的氧化硅及所述P型注入区表面的多晶硅、贯穿所述氧化硅的第一通孔与第二通孔、形成于所述P型外延表面且对应所述第一通孔的第一N型注入区、形成于所述P型外延表面且对应所述第二通孔的第二N型注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 通孔 瞬态电压抑制器 氧化硅 外延表面 氧化硅层 衬底 沟槽侧壁 多晶硅 贯穿 制作 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种瞬态电压抑制器，其特征在于：所述瞬态电压抑制器包括P型衬底、形成于所述P型衬底上的N型外延、形成于所述N型外延上的P型外延、形成于所述P型外延上的氧化硅层、贯穿所述氧化硅层、所述P型外延并延伸至所述N型外延中的沟槽、形成于所述沟槽底部的N型外延上的P型注入区、形成于所述沟槽侧壁的氧化硅、形成于所述沟槽中的氧化硅及所述P型注入区表面的多晶硅、贯穿所述氧化硅的第一通孔与第二通孔、形成于所述P型外延表面且对应所述第一通孔的第一N型注入区、形成于所述P型外延表面且对应所述第二通孔的第二N型注入区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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