[发明专利]一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料有效
申请号: | 201711339246.1 | 申请日: | 2017-12-14 |
公开(公告)号: | CN109961996B | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 刘季霖;吴狄 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H05K9/00 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 周荣芳 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种等离子体处理设备及用于其上的高导电导磁复合材料,该高导电导磁复合材料用于制造等离子体处理设备的反应腔外壁,包括高磁导率基材和设置在所述高磁导率基材表面的高电导率层;所述高磁导率基材的材质为坡莫合金。其内芯层磁导率高,外表层电导率高,可以同时满足刻蚀机对磁场和电场屏蔽的需求,通过蒸镀,气相沉积,热喷涂,冷喷涂等方式加工简单,可以实现批量生产。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子体 处理 设备 用于 导电 复合材料 | ||
【主权项】:
1.一种用于等离子体处理设备的高导电导磁复合材料,其特征在于,所述复合材料用于制造等离子体处理设备的反应腔外壁,包括高磁导率基材和设置在所述高磁导率基材表面的高电导率层;所述高磁导率基材的材质为坡莫合金。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中微半导体设备(上海)股份有限公司,未经中微半导体设备(上海)股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711339246.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。