[发明专利]具有源极控制电极的场效应晶体管、制造方法和电子器件有效
| 申请号： | 201711339629.9 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN107994078B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 梁世博 | 申请（专利权）人： | 北京华碳科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京庚致知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11807 | 代理人： | 李伟波;韩德凯 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清华*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种场效应晶体管、制造场效应晶体管的方法以及电子器件。其中该场效应晶体管包括：源极和漏极，源极由狄拉克材料形成；沟道，沟道设置在源极与漏极之间；以及源极控制电极，设置在源极上，并用于控制狄拉克材料的掺杂，以使得狄拉克材料与沟道相反地掺杂；以及栅极，栅极设置在所述沟道之上，并与沟道电绝缘。 | ||
| 搜索关键词： | 有源 控制 电极 场效应 晶体管 制造 方法 电子器件 | ||
【主权项】：
具有源极控制电极的场效应晶体管，包括：源极和漏极，所述源极由狄拉克材料形成；沟道，所述沟道设置在所述源极与所述漏极之间；以及源极控制电极，设置在所述源极上，并用于控制所述狄拉克材料的掺杂，以使得所述狄拉克材料与所述沟道相反地掺杂；以及栅极，设置在所述沟道之上，并与所述沟道电绝缘。
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