[发明专利]鳍型场效应晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201711341036.6 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108288646A | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | 张青竹;张兆浩;殷华湘;徐忍忍 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;谢湘宁 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种鳍型场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上形成与衬底隔离的第一鳍体，第一鳍体由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S2，围绕第二区域的裸露表面顺序形成层叠的界面氧化层、铁电层和栅极，以及，制备方法还包括以下步骤：在第一区域和第三区域中形成源/漏极，源/漏极与第二区域的两端连接。上述制备方法提高了器件的栅控能力，降低了器件的漏电流，且能够使器件的亚阈值斜率大大低于60mV/dec。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 第二区域 鳍型场效应晶体管 第一区域 源/漏极 衬底 鳍体 界面氧化层 亚阈值斜率 裸露表面 顺次连接 顺序形成 漏电流 铁电层 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种鳍型场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底(10)上形成与所述衬底(10)隔离的第一鳍体(111)，所述第一鳍体(111)由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S2，围绕所述第二区域的裸露表面顺序形成层叠的界面氧化层(50)、铁电层(60)和栅极(80)，以及，所述制备方法还包括以下步骤：在所述第一区域和所述第三区域中形成源/漏极(40)，所述源/漏极(40)与所述第二区域的两端连接。
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