[发明专利]一种阵列基板在审
申请号: | 201711343244.X | 申请日: | 2017-12-12 |
公开(公告)号: | CN108172122A | 公开(公告)日: | 2018-06-15 |
发明(设计)人: | 李雪;李鹏 | 申请(专利权)人: | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G09F9/30 | 分类号: | G09F9/30;H01L27/32 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 袁江龙 |
地址: | 430000 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板,包括基板、形成于基板上的无机层、形成于无机层上的金属走线、形成于无机层上且覆盖金属走线的有机层;其中,金属走线和/或无机层包括折弯性能加强结构。本发明通过在金属走线和/或无机层设置折弯性能加强结构,使得柔性显示器在弯折时,弯折区应力得到释放,避免弯折区出现断裂或损伤,提高可弯折性能。 1 | ||
搜索关键词: | 无机层 金属走线 加强结构 折弯性能 弯折区 基板 柔性显示器 阵列基板 可弯折 有机层 弯折 断裂 损伤 释放 覆盖 | ||
其中,所述金属走线和/或所述无机层包括折弯性能加强结构。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述金属走线的弯折性能加强结构为所述金属走线的至少部分是镂空结构。3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述镂空结构包括设置在所述金属走线内的多个透孔结构和设置于所述金属走线边缘的多个缺口结构,所述缺口结构与所述透孔结构位于同一直线上或错开设置。4.根据权利要求3所述的阵列基板,所述透孔结构的直径为d1,所述透孔结构的边缘与所述金属走线的边缘的间距为d2,所述相对设置的两个缺口结构之间的距离为d3,其中,d1:d2:d3为2:1:3至4:3:5。5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述无机层的折弯性能加强结构为所述无机层上设有多个挖孔区域,所述挖孔区域内填充有机物,所述挖孔区域包括多个第一挖孔区域和多个第二挖孔区域,所述多个第一挖孔区域和多个第二挖孔区域分别位于同一直线上或错开设置。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一挖孔区域对应设置在所述无机层内被所述金属走线覆盖的区域,所述第二挖孔区域设置在所述无机层内未被所述金属走线覆盖的区域。
7.根据权利要求6所述的阵列基板,其特征在于,所述第一挖孔区域设置在所述无机层内对应所述缺口结构的区域。8.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,所述无机层包括设于所述基板上的第一无机层和设于所述第一无机层上的第二无机层,所述第一挖孔区域在所述第二无机层和所述有机层接触的平面上的截面为第一椭圆形,对应同一列所述金属走线下相邻两个第一椭圆形的几何中心之间的距离为18‑24μm,所述第二挖孔区域在所述第二无机层和所述有机层接触的平面上的截面为第二椭圆形,对应同一列所述有机层未覆盖所述金属走线的区域下相邻两个第二椭圆形的几何中心之间的距离为18‑24μm。
9.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第一椭圆形的长轴的长度大于所述金属走线的宽度,所述第二椭圆形的长轴的长度小于相邻所述金属走线的间距;
所述第一椭圆形和所述第二椭圆形沿所述金属走线方向上的投影的交叠线的长度大于1μm。
10.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括显示区和弯折区,所述无机层、金属走线和有机层设于所述弯折区,所述弯折区位于所述阵列基板的底端和/或所述显示区的两侧。该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司,未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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