[发明专利]MOSFET的BTI性能测试电路及基于其的测试方法有效
| 申请号： | 201711343344.2 | 申请日： | 2017-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN109975679B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王锴 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张振军;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOSFET的BTI性能测试电路及基于其的测试方法，所述BTI性能测试电路包括：级联的多个反相器，每一反相器由P型MOSFET和N型MOSFET构建，各个反相器中的P型MOSFET的源极耦接第一施压端口，各个反相器的输入端耦接第二施压端口；多个第一传输电路，每两个反相器之间耦接有第一传输电路，响应于测量控制信号，第一传输电路导通或者关断；其中，在向各个反相器中的P型MOSFET和N型MOSFET的栅极和源极之间分别施加不同持续时间的预设的高压后，多个反相器的器件延迟相对变化率用于确定MOSFET的BTI性能模型。采用该发明技术方案可以简化对MOSFET的BTI性能测试方式，提高测试效率。 | ||
| 搜索关键词： | mosfet bti 性能 测试 电路 基于 方法 | ||
【主权项】：
1.一种MOSFET的BTI性能测试电路，其特征在于，包括：级联的多个反相器，每一反相器由P型MOSFET和N型MOSFET构建，各个反相器中的P型MOSFET的源极耦接第一施压端口，各个反相器的输入端耦接第二施压端口；多个第一传输电路，每两个反相器之间耦接有所述第一传输电路，响应于测量控制信号，所述第一传输电路导通或者关断；其中，在向各个反相器中的P型MOSFET和N型MOSFET的栅极和源极之间分别施加不同持续时间的预设的高压后，所述多个反相器的器件延迟相对变化率用于确定MOSFET的BTI性能模型。
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