[发明专利]一种光催化氧化烟气中单质汞的方法有效
申请号: | 201711343640.2 | 申请日: | 2017-12-15 |
公开(公告)号: | CN107930390B | 公开(公告)日: | 2021-05-28 |
发明(设计)人: | 李海龙;赵洁霞 | 申请(专利权)人: | 中南大学 |
主分类号: | B01D53/86 | 分类号: | B01D53/86;B01D53/64 |
代理公司: | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人: | 王洁平 |
地址: | 410012 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: |
本发明公开了一种光催化氧化烟气中单质汞的方法。该方法利用半导体金属硫化物作为光催化剂,在紫外光作用下,烟气中单质汞进行催化氧化反应,生成Hg |
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搜索关键词: | 一种 光催化 氧化 烟气 单质 方法 | ||
【主权项】:
一种光催化氧化烟气中单质汞的方法,其特征在于,其利用半导体金属硫化物作为光催化剂,在紫外光作用下,烟气中单质汞进行催化氧化反应,生成Hg2+;其中:所述光催化剂为二元或者三元金属硫化物。
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