[发明专利]半导体结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711344639.1 | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109216428B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 沈泽民;吴志强;吴忠政;蔡庆威;程冠伦;王志豪;曹敏 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在第一区域内，定向为第一方向，其中，第一鳍式有源区域具有沿着第一方向的100晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在第二区域内，并且定向为第一方向，其中，第二鳍式有源区域具有沿着第一方向的110晶体方向。本发明还提供了半导体结构的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，包括：半导体衬底，具有第一区域和第二区域；第一半导体材料的第一鳍式有源区域，设置在所述第一区域内，定向为第一方向，其中，所述第一鳍式有源区域具有沿着所述第一方向的<100>晶体方向；以及第二半导体材料的第二鳍式有源区域，设置在所述第二区域内，并且定向为所述第一方向，其中，所述第二鳍式有源区域具有沿着所述第一方向的<110>晶体方向。
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