[发明专利]一种提高峰值电流的肖特基二极管的结构及制备方法

摘要

本发明提供一种提高峰值电流的肖特基二极管的结构及制备方法，通过在有源注入区的表面引入高掺杂浓度的薄层注入区，使此薄层注入区和正面接触金属形成良好的欧姆接触，在正向浪涌电流条件下，PN结参与导电，器件的峰值电流得到提高，从而降低器件导通压降，使器件具备抗浪涌能力，提高器件可靠性。

主权项

一种提高峰值电流的肖特基二极管的结构，包括由下到上顺次设置的背面接触金属、第一导电类型的衬底以及第一导电类型的漂移层和场氧层；还包括正面接触金属，所述正面接触金属分别和所述场氧层、漂移层相接触；所述漂移层设有第二导电类型的JTE注入区以及复数个第二导电类型的有源注入区；其特征在于：还包括第二导电类型的薄层注入区，所述薄层注入区设于所述有源注入区上表面且和所述正面接触金属形成欧姆接触，同时所述正面接触金属与所述漂移层的其它表面区域形成肖特基接触。