[发明专利]环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供了一种环栅纳米线场效应晶体管及其制备方法。该制备方法包括以下步骤：S1，在衬底上形成鳍结构；S2，将鳍结构形成与衬底隔离的第一鳍体，第一鳍体由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S3，使第一鳍体中的第二区域完全裸露，在氢气氛围下对第二区域进行退火处理，以将部分第一鳍体形成纳米线结构；S4，绕纳米线结构的外周形成栅堆叠结构，以及，制备方法还包括以下步骤：在第一区域和第三区域中形成源/漏极，源/漏极与纳米线结构的两端连接。上述制备方法提高了器件的栅控能力，降低了器件的漏电流，减小了器件的源漏寄生电阻，且提高了器件可靠性。

主权项

1.一种环栅纳米线场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1，在衬底(10)上形成鳍结构(110)；S2，将所述鳍结构(110)形成与所述衬底(10)隔离的第一鳍体(111)，所述第一鳍体(111)由沿长度方向顺次连接的第一区域、第二区域和第三区域组成；S3，使所述第一鳍体(111)中的所述第二区域完全裸露，在氢气氛围下对所述第二区域进行退火处理，以将部分所述第一鳍体(111)形成纳米线结构(120)；S4，绕所述纳米线结构(120)的外周形成栅堆叠结构，以及，所述制备方法还包括以下步骤：在所述第一区域和所述第三区域中形成源/漏极，所述源/漏极(20)与所述纳米线结构(120)的两端连接。