[发明专利]形成水平纳米线的方法以及由水平纳米线制备的器件

摘要

一种形成水平纳米线的方法，该方法包括提供基板，所述基板包括电介质层和鳍结构，所述鳍结构包括从电介质层突出的部分，所述突出的部分是部分未掩蔽的，且包含由第一材料层交替且重复地与第二材料层叠置构成的多层堆叠；通过进行一个循环来形成水平纳米线，所述循环包括选择性除去第一材料，直到第二材料的水平纳米线悬浮在部分未掩蔽的突出部分的剩余部分上方，在该剩余部分上形成牺牲层，同时保持悬浮的水平纳米线未被覆盖，在悬浮的水平纳米线上选择性设置覆盖层，然后除去牺牲层。水平纳米线从顶部开始悬浮，在底部水平纳米线悬浮后除去覆盖层。

主权项

1.一种形成水平纳米线的方法，所述方法包括：‑提供基板(9)，所述基板(9)包括电介质层(2)和鳍结构(5)，所述鳍结构(5)包括从电介质层(2)突出的部分(5’)，所述突出的部分(5’)部分未掩蔽且包含由第一材料层(4)交替且重复地与第二材料层(3)叠置构成的多层堆叠，和‑形成水平纳米线(11,12,13)，其中，所述形成通过进行一个循环来进行，所述循环包括：‑选择性除去第一材料，直到第二材料的水平纳米线悬浮在部分未掩蔽的突出部分(5’)的剩余部分上方，‑在该剩余部分上形成牺牲层(6)，同时保持所述悬浮的水平纳米线未被覆盖，‑在悬浮的水平纳米线上选择性设置覆盖层(7)，然后‑除去牺牲层(6),由此，循环中形成的水平纳米线从顶部开始悬浮，在底部水平纳米线悬浮后除去覆盖层(7)。