[发明专利]纳米复合材料及其制备方法和应用

摘要

本发明提供了一种纳米复合材料，包括交联结合的纳米线、富勒烯和量子点，所述纳米复合材料具有如下化学结构单元A@(NH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑NH)n2@B、A@(SH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑SH)n2@B、A@(SH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑NH)n2@B或A@(NH‑R‑SiO3)n1Cm(SiO3‑R‑SH)n2@B，其中，@表示交联结合，A为纳米线，B为量子点，Cm为富勒烯，R为烃基或烃基衍生物，且所述量子点的禁带宽度＞3.3eV，所述纳米线的禁带宽度＞3.3eV，28≤m≤104，16≤n1+n2≤60，且n1+n2m。

主权项

1.一种纳米复合材料，其特征在于，包括交联结合的纳米线、富勒烯和量子点，所述纳米复合材料具有如下化学结构单元：A@(NH‑R‑SiO₃)_n1C_m(SiO₃‑R‑NH)_n2@B、A@(SH‑R‑SiO₃)_n1C_m(SiO₃‑R‑SH)_n2@B、A@(SH‑R‑SiO₃)_n1C_m(SiO₃‑R‑NH)_n2@B或A@(NH‑R‑SiO₃)_n1C_m(SiO₃‑R‑SH)_n2@B，其中，@表示纳米线和量子点分别与(SH‑R‑SiO₃)_n1C_m(SiO₃‑R‑SH)_n2交联结合，A为纳米线，B为量子点，C_m为富勒烯，R为烃基或烃基衍生物，且所述量子点的禁带宽度＞3.3eV，所述纳米线的禁带宽度＞3.3eV，28≤m≤104，16≤n1+n2≤60，且n1+n2<m。