[发明专利]QLED器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201711347672.X | 申请日： | 2017-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN109935704A | 公开（公告）日： | 2019-06-25 |
| 发明（设计）人： | 吴劲衡;吴龙佳;何斯纳 | 申请（专利权）人： | TCL集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/50 | 分类号： | H01L51/50;H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 深圳中一专利商标事务所 44237 | 代理人： | 官建红 |
| 地址： | 516006 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明属于量子点技术领域，具体涉及一种QLED器件及其制备方法。本发明的QLED器件包括空穴注入层，所述空穴注入层由石墨炔组成。本发明将石墨炔直接作为QLED器件的空穴注入层材料，具有优异的空穴传输能力、化学稳定性强以及结构简单的特点，可显著提高QLED整体器件的发光效率和使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴注入层 石墨炔 制备 空穴注入层材料 空穴传输能力 化学稳定性 发光效率 使用寿命 整体器件 量子点 | ||
【主权项】：
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括空穴注入层，其特征在于，所述空穴注入层由石墨炔组成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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